AOK22N50
500V , 22A N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
15
V
DS
=400V
I
D
=22A
电容(pF)
1000
C
OSS
10000
C
国际空间站
12
V
GS
(伏)
9
6
100
C
RSS
3
0
0
40
60
80
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
20
100
10
0.1
10
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
1
100
25
100
R
DS ( ON)
有限
10µs
100µs
1ms
1
DC
0.1
10ms
额定电流我
D
(A)
20
I
D
(安培)
10
15
10
5
T
J(下最大)
=150°C
T
C
=25°C
0.01
0
25
50
75
100
125
150
1
10
100
1000
T
例
(°C)
°
图9 :电流降评级(注二)
V
DS
(伏)
图10 :最大正向偏置安全工作
对于AOK22N50区(注F)
0
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.3°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
PP
D
D
0.01
单脉冲
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图11: AOK22N50归最大瞬态热阻抗(注F)
TT
on
on
TT