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AOI11S60 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AOI11S60
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内容描述: 600V 11A的MOS TM功率晶体管 [600V 11A a MOS TM Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 639 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AOD11S60/AOI11S60
600V 11A
α
MOS
TM
功率晶体管
典型的电气和热特性
1.0E+02
1.0E+01
1.0E+00
I
S
(A)
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
3
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(伏)
图7 :体二极管的特性(注五)
0.2
0
0
4
8
12
16
Q
g
( NC )
图8 :栅极电荷特性
V
GS
(伏)
25°C
9
125°C
15
12
V
DS
=480V
I
D
=5.5A
6
10000
6
5
EOSS ( UJ )
4
3
2
E
OSS
电容(pF)
1000
C
国际空间站
100
C
OSS
10
C
RSS
1
0
300
400
500
V
DS
(伏)
图9 :电容特性
100
200
600
1
0
0
100
200
300
400
V
DS
(伏)
图10 :科斯储存的能量
500
600
100
R
DS ( ON)
有限
800
10µs
100µs
功率(W)的
10
I
D
(安培)
600
T
J(下最大)
=150°C
T
C
=25°C
1
DC
1ms
10ms
400
0.1
T
J(下最大)
=150°C
T
C
=25°C
0.01
1
10
V
DS
(伏)
图11 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
100
1000
200
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图12 :单脉冲功率额定值结点到
案例(注F)
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