AOD450
N沟道增强型场
场效应晶体管
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 10毫安，V
GS
=0V
V
DS
=160V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250µA
V
GS
=10V, V
DS
=15V
V
GS
= 10V ，我
D
=3.8A
T
J
=125°C
V
DS
= 15V ，我
D
=3.8A
I
S
= 1A ，V
GS
=0V
G
民
200
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
1
5
100
3
10
0.55
1.1
8.7
0.8
1
6
215
0.70
1.32
5
6
µA
nA
V
A
Ω
S
V
A
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
32
7.2
5.5
3.82
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
I
F
= 3.8A ，的di / dt = 100A / μs的
2
V
GS
=10V, V
DS
= 25V ，我
D
=3.8A
0.92
1.42
1.47
6.3
V
GS
=10V, V
DS
= 25V ，R
L
=6.5Ω,
R
根
=3Ω
3.3
10.5
2.8
59
142
体二极管反向恢复电荷我
F
= 3.8A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。电源
耗散P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用的值依赖于
用户的具体的电路板设计，并且最高温度FO 175℃下也可以使用，如果在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设定上耗散更多的有用
极限情况下，额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性1〜6使用<300获得
µs
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
=175°C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
ST
*本装置是保证数据后的代码8X11 （ 2008年9月1日），绿色。
REV1 ： 2008年9月
2/6
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SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
