AOD4454
150V N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=150V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=10A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 7V ，我
D
=10A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=10A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
3.4
40
75.5
151
84
20
0.72
1
46
655
V
GS
=0V, V
DS
= 75V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
50
13
0.7
10
V
GS
=10V, V
DS
= 75V ，我
D
=10A
820
70
22
1.4
15
4
4.4
10.5
V
GS
=10V, V
DS
= 75V ，R
L
=7.5Ω,
R
根
=3Ω
I
F
= 10A ，的di / dt = 500A / μs的
2
民
150
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
±100
4
4.6
94
188
110
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
G
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
985
90
31
2.1
20
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
5.5
14.5
3
20
160
32.5
230
45
300
体二极管反向恢复电荷我
F
= 10A ，的di / dt = 500A / μs的
ns
nC
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
C.
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温在任何给定应用的值取决于
对用户的特定板的设计，和175°的最大温度可以被使用，如果在PCB允许这样。
C
C,
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175使用结到外壳的热阻°，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 175 °额定值基于低频和占空比，以保持
初始的T
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 〜6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，
假设T的最高结温
J（下最大）
= 175 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
C.
G.最大额定电流是有限的包。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°
C.
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