AOD418/AOI418
30V N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
TO252
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
TO252
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
TO251A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
TO251A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
G
920
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
125
60
0.55
16
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=20A
7.6
T
J
=125°C
1.5
125
6.2
9.5
8.5
6.7
9
63
0.72
1
36
1150
180
105
1.1
20
9.5
2.7
5
6.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75Ω,
R
根
=3Ω
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
±100
1.95
2.5
7.5
11.5
11
8
11.5
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
1380
235
150
1.65
24
11
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
2
17
3.5
7
11
8.7
13.5
10.5
16
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
ns
nC
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T = 25 ℃。电源
A
耗散P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值依赖于用户的
具体的电路板的设计，和175℃的最高温度，可以使用如在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设定上耗散更多的有用
极限情况下，额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 175 ℃。额定值基于低频和占空比，以保持初始的T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性1〜6使用<300脉冲，占空比0.5％以下，获得。
µs
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
= 175 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大额定电流是有限的包。
2
H.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T = 25 ℃。
A
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