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AOD413 参数 Datasheet PDF下载

AOD413图片预览
型号: AOD413
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内容描述: P通道40 -V ( DS ) MOSFET高性能沟道技术 [P-Channel 40-V (D-S) MOSFET High performance trench technology]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 453 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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飞思卡尔
AOD4 13 / 13 MCD4
典型电气特性
30
10V
25
25
o
C
125
o
C
15
25
I
D
- 漏电流( A)
6V
20
I
D
- 漏电流( A)
T
A
= -55
o
C
20
4V
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
3V
10
5
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
输出特性
传输特性
0.4
0.35
r
DS ( ON)
- 导通电阻( OHM )
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
I
D
- 漏电流( A)
10V
4.5V
西塞,科斯和AM4541C Die2中的Crss测量
PMOS
900
电容( NC )
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
5
10
VDS ( V)
15
20
西塞
科斯
CRSS
图3.电阻与栅极电压的电压
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
1.6
r
DS ( ON)
- 导通电阻( OHM )
(归一化)
V
D
= 10V
I
D
= 4.6A
电容
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
V
GS
= - 10V
V
GS
(V)
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
-25
0
25
50
75
o
100
125
150
QG ,总栅极电荷( NC)
T
J
- 结温( C)
栅极电荷
导通电阻与结温
3
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