AOD413A
40V P沟道MOSFET
概述
该AOD413A采用先进的沟槽技术和设计,提供优秀的研发
DS ( ON)
低门
费。与DPAK封装的优异的耐热性,该装置很适合于高
电流负载的应用。
特点
V
DS
(V) = -40V
(V
GS
= -10V)
I
D
= -12A
R
DS ( ON)
< 44mΩ (V
GS
= -10V)
R
DS ( ON)
< 66mΩ (V
GS
= -4.5V)
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
B,H
漏电流脉冲
雪崩电流
C
重复雪崩能量L = 0.1mH
C
T
C
=25°
C
功耗
B
功耗
A
T
C
=100°
C
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
结温和存储温度范围
热特性
参数
A,G
最大结点到环境
最大结点到环境
A,G
最大结到外壳
F
C
最大
-40
±20
-12
-12
-30
-20
20
50
25
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
V
GS
C
T
C
=25°
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
mJ
W
°
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
16.7
40
2
最大
25
50
3
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/6
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