AOD4132
N沟道增强型场
场效应晶体管
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
T
J
=125°
C
1
85
2.8
4.4
4.4
106
0.72
1
85
3700
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
700
390
0.54
63
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ，我
D
=20A
33
8.6
17.6
12
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75Ω,
R
根
=3Ω
I
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
15.5
40
14
34
30
41
0.7
76
40
4400
4
5.5
6
1.8
民
30
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
功耗P
帝斯曼
基于稳定状态R
θJA
和150°中的任何值所允许的最大结点温度给定
C.
应用程序依赖于用户的具体电路板设计，最高温度FO 175°可高墙，如果PCB或散热片允许的话。
C
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175使用结到外壳的热阻°，并且是在设置上更加有用
C,
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°
C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性1〜6使用<300获得
µs
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些测试使用安装在1中的装置执行的
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°上的SOA
C.
曲线提供了单个脉冲的评价。
G的最大额定电流被包电流能力是有限的。
*此设备是保证数据的代码8X11 （ 9月1日之后的绿色
ST
2008).
版本1 ： 2008年9月
2/6
www.freescale.net.cn
SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
