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AOD4120 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AOD4120
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内容描述: N沟道增强型场 [N-Channel Enhancement Mode Field]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 460 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AOD4120
N沟道增强型场
场效应晶体管
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
(伏)
6
4
2
200
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
100
0
0
C
RSS
10
15
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
20
V
DS
=12.5V
I
D
=20A
1400
1200
电容(pF)
1000
800
600
400
C
OSS
C
国际空间站
1.4
494
692
593
830
193
18
10μs
100μs
功率(W)的
200
160
120
80
40
T
J(下最大)
=175°C
T
C
=25°C
10
I
D
(安培)
R
DS ( ON)
有限
1
DC
1ms
T
J(下最大)
= 175 ° C,T
C
=25°C
0.1
0.1
1
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
10
100
0
0.0001
0.001
59
0.1
脉冲
142
(s)
宽度
0.01
1
10
图10 :单脉冲功率额定值结点到
案例(注F)
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=4.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
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