AOD3N50/AOU3N50
500V , 3A N沟道MOSFET
概述
采用先进的高电压MOSFET工艺是这样的AOD3N50 & AOU3N50已经制造
旨在提供流行的AC- DC应用的高水准的性能和鲁棒性。
通过提供低R
DS ( ON)
, C
国际空间站
和C
RSS
随着雪崩能力保证这些部件可以
通过迅速进入新的和现有的离线电源设计。
特点
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
600V@150℃
2.8A
< 3Ω
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
B
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
H
C
最大
500
±30
2.8
1.8
9
2
60
120
5
57
0.45
-50-150
300
单位
V
V
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
°C
°C
V
GS
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°C
功耗
B
减免上述25
o
C
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的, 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
最大结点到环境
A,G
最大外壳到散热器
A
最大结到外壳
D,F
符号
R
θJA
R
θCS
R
θJC
典型
45
-
1.8
最大
55
0.5
2.2
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1/6
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