AOD242
40V N沟道MOSFET
概述
本AOD242采用沟槽MOSFET技术,具有独特的优化,以提供最有效的高
高频开关性能。这两种传导和开关功率损耗是由于最小化的
的R极低组合
DS ( ON)
,西塞和科斯。该器件非常适合于升压转换器和同步
整流器消费,电信,工业电源和LED背光。
特点
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=4.5V)
40V
54A
< 5.8mΩ
< 8.2mΩ
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°
C
功耗
功耗
B
C
C
最大
40
±20
54
42
165
14.5
11.5
40
80
53.5
26.5
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
E
AS
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
15
41
2.2
最大
20
50
2.8
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/6
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