AOD200
30V N沟道MOSFET
概述
本AOD200采用沟槽MOSFET技术,具有独特的优化,以提供最有效的高
高频开关performance.Power损失由于最小化,以极低的组合
R
DS ( ON)
和Crss.In此外,开关性能得到很好的控制了"Schottky style"软恢复体二极管。
特点
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
= 4.5V)
30V
36A
< 7.8mΩ
< 11MΩ
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
V
GS
最大
30
单位
V
±20
V
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
C
T
C
=25°
C
C
T
C
=100°
T
A
=25°
C
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
36
28
120
14
11
28
39
50
25
2.5
1.6
-55至175
A
A
mJ
W
W
°
C
A
雪崩能量L = 0.1mH
C
T
C
=25°
功耗
功耗
B
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
A
最大结点到环境
AD
最大结点到环境
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
15
41
2.1
最大
20
50
3
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/6
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