AOT2608L/AOB2608L
60V N沟道MOSFET
概述
该AOT2608L / AOB2608L采用沟道MOSFET技术,具有独特的优化,以提供最
高效的高频开关性能。这两种传导和开关功率损耗降至最低
由于极低的R组合
DS ( ON)
,西塞和Coss.This器件理想用于升压转换器和
同步整流器的消费,电信,工业电源和LED背光。
特点
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
60V
72A
< 8.0mΩ ( < 7.6mΩ
∗
)
D
G
S
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
符号
参数
V
DS
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°
C
功耗
功耗
B
C
C
最大
60
±20
72
54
180
11
8.5
50
125
100
50
2.1
1.3
-55至175
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
E
AS
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
12
48
1.2
最大
15
60
1.5
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/6
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