AOT14N50/AOB14N50/AOTF14N50
500V ， 14A N沟道MOSFET
概述
采用先进的高电压MOSFET的AOT14N50 &AOB14N50 & AOTF14N50已制作
这是旨在提供流行的AC -DC高水准的性能和耐用性的过程
applications.By提供低R
DS （ ON）
, C
国际空间站
和C
RSS
沿
雪崩能力保证这些部件可以
通过迅速进入新的和现有的离线电源设计。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
600V@150℃
14A
< 0.38Ω
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
AOT14N50/AOB14N50
参数
漏源电压
V
DS
500
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
G
C
AOTF14N50
单位
V
V
V
GS
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
R
θCS
278
2.2
14
11
±30
14*
11*
56
6
540
1080
5
50
0.4
-55到150
300
AOT14N50/AOB14N50
65
0.5
0.45
AOTF14N50
65
--
2.5
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
°C
°C
单位
° C / W
° C / W
° C / W
重复性雪崩能量
单plused雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°C
B
功耗
减免上述25
o
C
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
最大结点到环境
A，D
最大外壳到散热器
A
最大结到外壳
R
θJC
*漏电流受最高结温。
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