AOT1100L/AOB1100L
100V N沟道坚固的平面MOSFET
概述
该AOT1100L / AOB1100L采用了强大的技术,旨在提供高效,可靠的动力
转换即使在最苛刻的应用,包括电机控制。与低R
DS ( ON)
和优秀的
热能力这个设备适合于大电流的开关,并且可以承受不利的操作
conditions.This器件理想用于升压转换器和同步整流器的消费,电信,工业
电源和LED背光。
特点
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
100V
130A
< 12mΩ
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°
C
功耗
功耗
B
C
C
最大
100
±20
130
92
208
8
6
122
744
500
250
2.1
1.3
-55至175
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
E
AS
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°
C
T
C
=100°
C
C
T
A
=25°
T
A
=70°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
12
48
0.22
最大
15
60
0.3
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/6
www.freescale.net.cn