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AO9926C图片预览
型号: AO9926C
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内容描述: 20V双N沟道MOSFET [20V Dual N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 1184 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AO9926C
20V双N沟道MOSFET
概述
该AO9926C采用先进的沟槽技术,提供优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和操作
与栅极电压可低至1.8V ,同时保留了12V V
GS ( MAX)
投资评级。此装置适合于用作单向
定向或双向负载开关。
特点
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=4.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=2.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=1.8V)
20V
7.6A
< 23mΩ
< 26mΩ
< 34mΩ
< 52mΩ
SOIC-8
D1
顶视图
S2
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
G1
S1
G2
S2
D2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
功耗
B
C
最大
20
±12
7.6
6.1
38
2
1.28
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
A
最大结点到环境
AD
最大结点到环境
最大结对铅
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
48
74
32
最大
62.5
90
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1/5
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