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型号: AO8820
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内容描述: 20V共漏极双N沟道MOSFET [20V Common-Drain Dual N-Channel Mosfet]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 241 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AO8820
20V共漏极双
N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
5
V
DS
=10V
I
D
=7A
4
600
3
电容(pF)
V
GS
(伏)
C
国际空间站
800
400
2
C
OSS
200
1
C
RSS
0
10
15
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
20
0
0
4
6
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
2
8
0
100.0
10000
10.0
I
D
(安培)
1ms
1.0
功率(W)的
R
DS ( ON)
有限
10µs
100µs
T
A
=25°C
1000
10ms
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
10s
DC
100
0.1
10
1
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
(伏)
10
100
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注F)
0.00001
0.001
0.1
10
1000
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=83°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
T
on
T
4/5
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