AO8807 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO8807
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内容描述：	双P沟道增强型场效应晶体管 [Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 454 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

AO8807

双P沟道增强型场

场效应晶体管

概述

该AO8807采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和

操作与栅极电压低至1.8V 。此装置适用于使用作为负载开关。 AO8807

和AO8807L是电相同。

符合RoHS

卤素免费

特点

(V) = -12V

= -6.5 A（V

= -4.5V)

DS （ ON）

< 20MΩ （V

= -4.5V)

DS （ ON）

< 24mΩ （V

= -2.5V)

DS （ ON）

30mΩ到< （V

= -1.8V)

TSSOP-8

顶视图

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大

-12

±8

-6.5

-5

-60

1.4

0.9

-55到150

单位

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

125

单位

° C / W

1/5

www.freescale.net.cn

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