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AO8701L 参数 Datasheet PDF下载

AO8701L图片预览
型号: AO8701L
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管与二极管Schcttky [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schcttky Diode]
分类和应用: 晶体二极管晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 212 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AO8701 , AO8701L
P沟道增强型场
场效应晶体管与二极管Schcttky
概述
该AO8701采用先进的沟槽技术,提供优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。一
肖特基二极管被设置以便于双向阻断开关的执行。
AO8701L (绿色产品)的无铅封装提供。
特点
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -4.2A
R
DS ( ON)
< 50mΩ以下(V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 65mΩ (V
GS
= 4.5V)
R
DS ( ON)
< 120MΩ (V
GS
= 2.5V)
肖特基
V
DS
(V ) = 30V ,我
F
= 3A ,V
F
=0.5V@1A
D
D
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
K
A
A
A
G
S
A
K
TSSOP-8
绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明
A
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
T
A
=25°C
连续漏电流
漏电流脉冲
B
A
MOSFET
-30
±12
-4.2
-3.5
-30
肖特基
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=70°C
I
D
I
DM
V
KA
T
A
=25°C
A
肖特基反向电压
连续正向电流
脉冲正向电流
B
T
A
=25°C
功耗
结温和存储温度范围
参数:热特性MOSFET
t
10s
最大结点到环境
A
最大结点到环境
C
A
T
A
=70°C
I
F
I
FM
30
3
2
1.4
1
-55到150
典型值
73
96
63
75
97
63
40
1.4
1
-55到150
最大
90
125
75
90
125
75
V
A
T
A
=70°C
P
D
T
J
, T
英镑
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
W
°C
单位
° C / W
稳态
稳态
t
10s
稳态
稳态
最大结对铅
热特性肖特基
最大结点到环境
A
最大结点到环境
最大结对铅
C
A
° C / W
1/5
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