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AO7402 参数 Datasheet PDF下载

AO7402图片预览
型号: AO7402
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内容描述: N沟道20V ( DS ) MOSFET高性能沟道技术 [N-Channel 20V (D-S) MOSFET High performance trench technology]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 359 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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飞思卡尔
AO7402 / MC7402
典型电气特性( N沟道)
40
V
GS
= 10V
I
D
,D R A IN C ü R R简T(A
30
6.0V
5.0V
30
VDS = 5V
ID ,漏电流( A)
25
20
15
10
5
0
0.5
1.5
TA = -55
o
C
25
o
C
125
o
C
20
4.0V
10
3.0V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
,漏源电压(V )
2.5
3.5
4.5
VGS ,门源电压( V)
图1.区域特征
图2.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度
3
R
ð S(O N)
, N 2 O R M A L IZ E D
,D R A IN - S 0 ü R C ê 0:N - R的(E S)为T A N ç
V
GS
=
C A P A C IT A N权证( P ˚F
700
600
500
400
300
200
100
0
C
RSS
0
5
10
15
20
25
30
C
国际空间站
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
2.5
2
4.5V
1.5
1
10V
C
OSS
0.5
0
5
10
15
I
D
,漏电流( A)
20
25
30
V
DS
,漏源极电压( V)
图3.电阻与栅极电压的电压
图4.电容特性
10
I
D
= 5.3A
15V
1.6
V
GS
= 10V
I
D
= 7A
8
1.4
Vgs的电压(V)
6
归一化ř
DS
(上)
0
1
2
3
4
5
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
QG ,栅极电荷( NC)
T
J
Juncation温度( ℃)
图5.栅极电荷特性
图6.导通电阻随温度的变化
3
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