AO6804A
双路20V P沟道MOSFET
典型的电气和热特性
25
4.5V
20
3V
2.5V
2V
1.8V
I
D
(A)
20
25
V
DS
= 5V
15
I
D
(A)
15
10
10
25°C
125°C
-40°C
5
V
GS
=1.5V
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
32
归一化的导通电阻
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
2
4
V
GS
= 4.5V
I
D
= 5A
30
V
GS
= 2.5V
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
28
V
GS
= 3.1V
26
24
V
GS
= 4.0V
V
GS
= 4.5V
22
dI/dt=100A/µs
I
6
=-6.5A,
8
10
F
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
80
I
D
= 5.0A
70
60
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
50
I
S
(A)
1E+01
1E+00
1E-01
1E-02
125°C
1E-03
25°C
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
40
125°C
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
1E-04
-40°C
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
30
25°C
1E-05
性能和可靠性，恕不另行通知。
20
1E-06
-40°C
10
1
6
7
8
9
10
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
2
3
4
5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
3/5
www.freescale.net.cn
SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
