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AO6801E 参数 Datasheet PDF下载

AO6801E图片预览
型号: AO6801E
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内容描述: 双路30V P沟道MOSFET [30V Dual P-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 260 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AO6801E
双路30V P沟道MOSFET
概述
该AO6801E结合了先进的沟槽MOSFET技术,具有低电阻封装提供
非常低R
DS ( ON)
。该器件非常适用于负荷开关和电池保护的应用程序。
特点
V
DS
I
D
(在V
GS
=-10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-4.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=-2.5V)
典型的ESD保护
-30V
-2A
< 110mΩ
< 135mΩ
< 185mΩ
HBM 1C类
D1
顶视图
D2
G1
S2
G2
1
2
3
6
5
4
D1
S1
D2
S1
S2
G1
G2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
符号
参数
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
功耗
B
C
最大
-30
±12
-2.0
-1.6
-15
0.70
0.45
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
150
185
150
最大
180
230
180
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/5
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