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AO6800 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AO6800
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内容描述: N通道30 -V ( DS ) MOSFET高性能沟道技术 [N-Channel 30-V (D-S) MOSFET High performance trench technology]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 454 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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飞思卡尔
AO68 00 / MC68 00
典型电气特性( N沟道)
10
20
4.5V
I
D
- 漏电流( A)
15
2.5V
T
A
= -55
o
C
8
I
D
- 漏电流( A)
125
o
C
6
25
o
C
10
4
5
2
0
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
输出特性
400
西塞
1.4
r
DS ( ON)
- 归一导通电阻
传输特性
电容( P
300
1.2
200
科斯
1
4.5V
10V
100
0.8
0
5
10
15
20
25
I
D
- 漏电流( A)
0
CRSS
0
5
10
15
20
V (V
)
DS
导通电阻与漏电流
10
r
DS ( ON)
- 导通电阻(标准化)
V
D
= 15V
I
D
= 3.5A
电容
1.6
V
GS
= 4.5V
1.4
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
V
GS
(V)
1.2
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 结温(
o
C)
1
2
3
4
5
6
QG ,总栅极电荷( NC)
栅极电荷
导通电阻与结温
3
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