飞思卡尔
o
AO6 706 / 706 MC6
PARAM
ETER
SY BOL
m
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
（六中）D
t
f
o
M SFET的specifica NS （T
A
= 25℃ ，除非Ø
O
TIO
THERW
ISE NO
TED ）
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250微安
V = 0 V V
S
= +/-8 V
,
G
DS
LIM
ITS
单位
民泰
P最大
0.4
±100
STATIC
G
吃-T
hreshold电压
G
吃了，身体漏
ž摹
ERO吃电压D
雨ç
光凭目前
O
正状态D
雨ç
光凭目前
A
D
雨来源Ø
正国家科研
ESISTANCE
A
FORW
ARD牛逼
ranconductance
A
D
IODE FORW
ARD电压
nA
uA
A
0.047
0.055
3
0.80
7.5
0.6
1.0
5
V
DD
= 5 V ， R = 5 O M
H ,
L
V
根
= 4.5 V ， R = 6 O M
H
G
12
13
7
ns
nC
Ω
S
V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V = 16 V V
S
= 0 V T，
J
= 55 C
,
G
,
DS
o
1
10
5
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 4.1 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.8 A
V
DS
= 5 V，I
D
= 4.1 A
I
S
= 1.05 ，V
GS
= 0 V
Dy
南
ic
b
T
otal摹
吃ç
哈耶
G
吃-源性C
哈耶
G
吃-D
雨ç
哈耶
T
瓮- O D用
ñ elay率T e
im
ř牛逼
伊势IME
T
瓮- O D用
FF elay率T e
im
秋季-T é
im
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 4.1 A
肖特基规格（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 0.5 A
I
F
= 0.5 A，T
J
= 125 C
V
r
= 30 V
V
r
= 30 V ，T
J
= 75 C
V
r
= 30 V ，T
J
= 125 C
o
o
o
民
范围
单位
TYP MAX
0.48
0.4
0.1
1
10
mA
pF
V
V
最大反向漏电流
结电容
I
rm
C
T
V
r
= 10 V
31
笔记
a.
脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％ 。
b.
通过设计保证，不受生产测试。
飞思卡尔
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