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型号: AO6602
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内容描述: 30V互补MOSFET [30V Complementary MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 735 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AO6602
30V互补MOSFET
概述
该AO6602采用先进的沟槽技术,提供优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。该
互补的MOSFET组成一个高速逆变电源,适用于多种应用。
特点
N沟道
V
DS
= 30V
I
D
= 3.5A (V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
< 50米
< 70米
(V
GS
=10V)
(V
GS
=4.5V)
P沟道
-30V
-2.7A (V
GS
=-10V)
R
DS ( ON)
<百米
< 170米
(V
GS
=-10V)
(V
GS
=-4.5V)
D1
D2
顶视图
G1
S2
1
2
3
6
5
4
D1
S1
G1
G2
G2
D2
S1
S2
N沟道
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
符号
参数
最大的n沟道
漏源电压
30
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
功耗
B
C
P沟道
最大的p沟道
-30
±20
-2.7
-2.1
-15
1.15
0.73
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°
C
C
T
A
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
±20
3.5
3
20
1.15
0.73
-55到150
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
78
106
64
最大
110
150
80
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/9
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