AO4932
非对称双N沟道MOSFET
概述
该AO4932采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。两个MOSFET
使一个紧凑和高效的开关和同步整流器的组合中的DC- DC转换器的使用。一
单片集成肖特基二极管并联同步MOSFET ，以进一步提高效率。
特点
FET1(N-Channel)
V
DS
= 30V
I
D
= 11A （V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
< 12.5米
< 15米
(V
GS
=10V)
(V
GS
=4.5V)
FET2(N-Channel)
30V
8A （V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
< 19米
< 23米
(VGS=10V)
(VGS=4.5V)
顶视图
D2
D2
G1
S1
G2
S2/D1
S2/D1
S2/D1
SRFET
TM
软恢复
MOSFET ：
集成肖特基二极管
D1
D2
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
符号
参数
最大FE1
V
DS
漏源电压
30
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
C
T
A
=25°
C
功耗
B
最大FET2
30
±20
8
6.5
40
19
18
2
1.3
-55到150
单位
V
V
A
A
mJ
W
°
C
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
C
±12
11
9
60
15
11
2
1.3
I
D
I
DM
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
=70°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
48
74
32
最大
62.5
90
40
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/9
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