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AO4830 参数 Datasheet PDF下载

AO4830图片预览
型号: AO4830
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内容描述: 80V双N沟道MOSFET [80V Dual N-channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 412 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AO4830
80V
双N沟道MOSFET
概述
该AO4830采用先进的沟槽技术,提供优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。这
装置适合于用作负载开关或PWM应用。
特点
V
DS
(V) = 80V
I
D
= 3.5A
R
DS ( ON)
< 75mΩ
(V
GS
= 10V)
(V
GS
= 10V)
SOIC-8
D1
顶视图
S2
G2
S1
G1
D2
D2
D1
D1
D2
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
符号
参数
V
DS
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
C
雪崩电流
C
C
最大
80
±30
3.5
2.9
18
16
12.8
2
1.3
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
A
mJ
W
°
C
重复雪崩能量L = 0.1mH
T
A
=25°
C
功耗
B
T
A
=70°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
A
最大结点到环境
AD
最大结点到环境
最大结对铅
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
48
74
32
最大
62.5
90
40
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/6
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