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AO4822 参数 Datasheet PDF下载

AO4822图片预览
型号: AO4822
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内容描述: 双N通道30 -V ( DS ) MOSFET高性能沟道技术 [Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET High performance trench technology]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 6 页 / 462 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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飞思卡尔
AO48 22 / MC48 22
规格(T
A
= 25
o
C除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
A
符号
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
A
测试条件
V
GS
= 0 V,I
D
= 250微安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250微安
V
DS
= 0 V, V
GS
= 20 V
范围
单位
最小典型最大
30
1
±100
o
V
nA
uA
A
13.5
20
mΩ
S
V
A
1
25
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 55 C
漏源导通电阻
转发Tranconductance
二极管的正向电压
A
r
DS ( ON)
g
fs
V
SD
I
SM
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 10 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 8 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 15 A,T
J
= 55 C
V
DS
= 15 V,I
D
= 10 A
I
S
= 2.3 A,V
GS
= 0 V
o
20
15
40
0.7
5
脉冲源电流(体二极管)
A
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DS
= 15 V, V
GS
= 5 V,
I
D
= 10 A
V
DD
= 25 V ,R
L
= 25
, I
D
= 1 A,
V
= 10 V
20
7.0
7.0
20
9
70
20
nC
nS
笔记
a.
脉冲测试: PW < = 300US占空比< = 2 % 。
b.
通过设计保证,不受生产测试。
飞思卡尔
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或保证对其产品是否适合任何特定用途,也不会引起应用程序的飞思卡尔assumeany责任或
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