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AO4800 参数 Datasheet PDF下载

AO4800图片预览
型号: AO4800
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内容描述: 双P沟道增强型场效应晶体管 [Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 483 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AO4800
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=6.9A
T
J
=125°C
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=6.0A
V
GS
= 2.5V ,我
D
=5A
12
0.7
25
1
22.6
33
27
42
16
0.71
30
1
5
100
1.4
27
40
32
50
典型值
最大
单位
V
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= 5V ,我
D
=5A
二极管的正向电压
I
S
=1A
最大体二极管连续电流
1
3
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D(上)
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D(关闭)
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
体二极管反向恢复电荷
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
858
110
80
1.24
9.6
1.65
3
5.7
13
37
4.2
15.5
7.9
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ,我
D
=6.9A
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,R
L
=2.2Ω,
R
=6Ω
I
F
= 5A ,的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 5A ,的di / dt = 100A / μs的
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
在任何一个给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
10秒热阻率。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性1〜6使用80获得
µs
脉冲占空比0.5 %以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
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