AO4724
30V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
80
10V
8V
60
6V
I
D
(A)
4.5V
I
D
(A)
40
4V
20
3.5V
V
GS
=3V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
30
归一化的导通电阻
26
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
22
18
14
V
GS
=10V
10
0
6
12
18
24
30
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
=4.5V
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
0
0
1
2
3
4
5
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
18
5V
30
V
DS
=5V
24
12
6
125°C
25°C
800
140
80
I
D
=10.5A
0.5
15
7
220
140
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
54
46
38
I
S
(A)
125°C
30
I
D
=10.5A
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
25°C
125°C
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
1.0E-03
22
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
1.0E-04
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
14
25°C
性能和可靠性,恕不另行通知
1.0E-05
6
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2
4
6
8
10
V
SD
(伏)
V
GS
(伏)
图6 :体二极管的性能
图5 :导通电阻与栅源电压
3/4
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
www.freescale.net.cn