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型号: AO4707
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内容描述: 双P沟道增强型场效应晶体管,肖特基二极管 [Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode]
分类和应用: 晶体肖特基二极管晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 340 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AO4707
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-5A
正向跨导
V
DS
= -5V ,我
D
=-8A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250µA
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ,我
D
=-8A
T
J
=125°C
-1.2
40
24.5
33
41
14.5
-0.76
-1
-4.2
920
V
GS
=0V, V
DS
= -15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
190
122
3.6
18.4
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ,我
D
=-8A
9.3
2.7
4.9
7.1
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ,R
L
=1.8Ω,
R
=3Ω
I
F
= -8A ,的di / dt = 100A / μs的
3.4
18.9
8.4
21.5
12.5
0.48
0.07
4.2
15
120
0.52
0.15
20
60
pF
mA
56
33
-2
-30
-1
-5
±100
-2.4
典型值
最大
单位
V
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
V
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷( 10V )
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷( 4.5V )
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -8A ,的di / dt = 100A / μs的
I
F
=3.0A
V
R
=24V
V
R
= 24V ,T
J
=125°C
V
R
= 24V ,T
J
=150°C
V
R
=15V
肖特基参数
V
F
正向电压降
I
rm
C
T
最大反向漏电流
结电容
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
=25°C.
在任何给定应用程序中的值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
10S热
性的评价。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1〜 6,12,14使用80获得
µs
脉冲占空比0.5 %以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
Rev4 : 2005年8月
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