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AO4619 参数 Datasheet PDF下载

AO4619图片预览
型号: AO4619
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内容描述: P& N通道30 -V ( DS ) MOSFET的高功率和电流处理能力 [P & N-Channel 30-V (D-S) MOSFET High power and current handling capability]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 355 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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飞思卡尔
AO4619/MC4619
典型电气特性( P沟道)
30
VGS = -10V
-6.0V
-5.0V
15
VDS = -5V
TA = -55℃
o
25 C
o
-ID ,漏极电流( A)
-ID ,漏极电流( A)
12
125 C
o
20
-4.0V
10
9
6
3
0
-3.0V
0
0
1
2
3
4
5
6
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
-VDS ,漏源极电压( V)
-VGS ,门源电压( V)
图1.区域特征
图2.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度
800
700
电容(pF)
600
500
400
300
200
100
CRSS
科斯
西塞
F = 1 MHz的
VGS = 0 V
RDS ( ON ) ,归一化
漏源导通电阻
2
1.8
1.6
-4.5V
-6.0V
1.4
1.2
-10V
1
0.8
0
6
12
18
24
30
-ID ,漏极电流( A)
0
0
5
10
15
20
25
30
-VDS ,漏源极电压( V)
图3.电阻与栅极电压的电压
10
-VGS ,栅源电压(V )
ID = -5.7A
8
图4.电容特性
1.6
1.4
VGS = 10V
ID = 5.7A
归一化的RDS(on )
-15V
6
1.2
1.0
0.8
0.6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
QG ,栅极电荷( NC)
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ Juncation温度(℃ )
图6.导通电阻随温度的变化
图5.栅极电荷特性
5
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