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型号: AO4466
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内容描述: N通道30 -V ( DS ) MOSFET高性能沟道技术 [N-Channel 30-V (D-S) MOSFET High performance trench technology]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲光电二极管PC
文件页数/大小: 5 页 / 237 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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飞思卡尔
AO4 4 66 / MC4 4 66
典型电气特性( N沟道)
30
ID ,漏电流( A)
6.0V
5.0V
30
VDS = 5V
VGS = 10V
TA = -55
o
C
ID ,漏电流( A)
25
20
15
10
5
0
0
25
20
15
10
5
0
25
o
C
125
o
C
4.0V
3.0V
0.5
1
1.5
2
2.5
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
VDS ,漏极 - 源极电压( V)
VGS ,门源电压( V)
图1.区域特征
图2.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度
2.5
RDS ( ON ) ,归一化
漏源导通电阻
1500
1200
900
600
C
OSS
C
国际空间站
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
1.5
4.5V
6.0V
1
10V
电容(pF)
2
300
0
0
5
10
0.5
0
5
10
15
20
25
30
C
RSS
15
20
25
30
ID ,漏电流( A)
V
DS
,漏源极电压( V)
图3.电阻与栅极电压的电压
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
图4.电容特性
VGS盖特电子源伏年龄( V)
1.6
DS
归一化R(上)
1.4
V
GS
= 10V
I
D
= 7A
1.2
1.0
0 .8
0 .6
-50
-2 5
0
25
50
75
10 0
12 5
150
QG ,费( NC)
图5.栅极电荷特性
T
J
Juncation温度(℃ )
图6.导通电阻随温度的变化
3
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