AO4448
80V N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=80V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
= ±25V
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=10A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 7V ，我
D
=8A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=10A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
2.8
70
13
23.5
15.4
23
0.7
1
4
1335
V
GS
=0V, V
DS
= 40V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
150
40
0.35
22
V
GS
=10V, V
DS
= 40V ，我
D
=10A
8.8
5
V
GS
=10V, V
DS
= 40V ，R
L
=4Ω,
R
根
=3Ω
I
F
= 10A ，的di / dt = 500A / μs的
2
民
80
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
10
50
100
3.3
4.2
16
28.5
20
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
1670
215
72
0.75
28
11
8
12
9
20
8
14.5
45.5
21
65
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
2005
280
100
1.2
34
13
11
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 10A ，的di / dt = 500A / μs的
27.5
85
ns
nC
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150 °使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C,
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持
C.
initialT
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 〜6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
C.
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
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