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    AO4444L 参数 Datasheet PDF下载

    AO4444L图片预览
    型号： AO4444L
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 80V N沟道MOSFET [80V N-Channel MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 6 页 / 579 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号AO4444L的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AO4444L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO4444L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AO4444L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AO4444L的Datasheet PDF文件第6页  
    AO4444
    80V N沟道MOSFET
    典型的电气和热特性
    10
    Z
    θJA
    归一化瞬时
    热阻
    D =吨
    on
    /T
    T
    Ĵ ，PK
    =T
    A
    +P
    DM
    .Z
    θJA
    .R
    θJA
    R
    θJA
    =75°C/W
    按降序排列
    D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
    1
    0.1
    P
    D
    单脉冲
    T
    on
    0.01
    0.1
    1
    10
    0.01
    T
    100
    1000
    0.001
    0.00001
    0.0001
    0.001
    脉冲宽度（S ）
    图12 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
    200
    170
    Q
    rr
    （ NC ）
    140
    di/dt=800A/µs
    I
    rm
    125ºC
    12
    10
    25
    di/dt=800A/µs
    20
    15
    10
    5
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    I
    S
    (A)
    图14 ：二极管的反向恢复时间和
    软化系数与传导电流
    35
    30
    25
    I
    s
    =20A
    125ºC
    S
    25ºC
    t
    rr
    125ºC
    25ºC
    3
    2.5
    2
    1.5
    1
    0.5
    0
    25ºC
    125ºC
    8
    6
    4
    I
    rm
    (A)
    t
    rr
    （纳秒）
    110
    80
    50
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    I
    S
    (A)
    图13 ：二极管的反向恢复电荷和
    峰值电流与传导电流
    120
    I
    s
    =20A
    90
    125ºC
    25ºC
    60
    125º
    30
    Q
    rr
    25ºC
    I
    rm
    0
    0
    200
    400
    600
    800
    Q
    rr
    25ºC
    2
    0
    25
    20
    15
    10
    5
    0
    1000
    2.5
    2
    40
    125ºC
    t
    rr
    25ºC
    125º
    S
    25ºC
    0.5
    0
    1000
    1.5
    1
    S
    Q
    rr
    （ NC ）
    t
    rr
    （纳秒）
    I
    rm
    (A)
    20
    15
    10
    5
    0
    0
    200
    400
    600
    800
    的di / dt （ A / μS ）
    图15 ：二极管的反向恢复电荷和
    峰值电流和di / dt的
    的di / dt （ A / μS ）
    图16 ：二极管的反向恢复时间和
    软化系数主场迎战di / dt的
    5/6
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