AO4442
75V N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 10毫安，V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
= ±25V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250µA
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=3.1A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=2A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=3.1A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
1
20
100
180
120
8.2
0.79
1
3.5
303
V
GS
=0V, V
DS
= 37.5V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
37
17
2.2
5.2
V
GS
=10V, V
DS
= 37.5V ，我
D
=3.1A
2.46
1
1.34
4.5
V
GS
=10V, V
DS
= 37.5V ，R
L
=12Ω,
R
根
=3Ω
I
F
= 3.1A ，的di / dt = 100A / μs的
2
民
75
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
100
2.4
3
130
220
165
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
350
3
6.5
3.5
Ω
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 3.1A ，的di / dt = 100A / μs的
2.3
15.6
1.9
22
22
30
ns
nC
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150 °使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C,
C.
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持
initialT
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是热阻抗的交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 〜6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻
2
FR- 4板
C.
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
2/5
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