AO4437
12V P沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-9.6V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±4.5V
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250µA
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-11A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°
C
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-10A
V
GS
= -1.8V ，我
D
=-6A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ，我
D
=-11A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
-0.3
-20
12.4
17
15.9
20.4
38
-0.74
-1
-4.5
3960
V
GS
=0V, V
DS
= -6V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
910
757
6.9
37
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -6V ，我
D
=-11A
4.5
11
15
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -6V ，R
L
=0.55Ω,
R
根
=3Ω
I
F
= -11A ，的di / dt = 100A / μs的
43
158
95
64
50
8.5
47
4750
16
21
20
25
-0.55
民
-12
-1
-5
±1
±10
-1
A
mΩ
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
典型值
最大
单位
V
µA
µA
µA
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
总栅极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -11A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°
C.
在任何给定应用程序中的值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10S热
性的评价。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1〜 6,12,14使用<300获得
µs
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
REV3 ： 2010年11月
2/4
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