AO4427
30V P沟道MOSFET
典型的电气和热特性
30
-10V
-6V
-5V
20
25
V
DS
=-5V
20
-I
D
(A)
-I
D
(A)
-4.5V
15
125°C
10
10
V
GS
=-4V
5
25°C
0
0
2
3
4
-V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
1
5
0
1
1.5
2.5
3
3.5
4
4.5
-V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
2
5
12
1.6
归一化的导通电阻
11
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
V
GS
=-10V
1.4
V
GS
=-10V
I
D
=-10A
V
GS
=-10V, V
DS
=-15V,
10
I
D
=-12.5A
V
GS
=-20V
I
D
=-12.5A
1
1.2
9
V
GS
=-20V
8
0
5
10
15
20
25
-I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
50
I
D
=-12.5A
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
1.0E+01
1.0E+00
40
1.0E-01
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
-I
S
(A)
125°C
30
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
1.0E-02
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
125°C
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
1.0E-03
20
性能和可靠性，恕不另行通知。
1.0E-04
10
25°C
1.0E-05
0
4
5
6
7
8
9
10
-V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
1.0E-06
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
25°C
3/4
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