AO4422 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4422
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内容描述：	N通道30 -V （ DS ） MOSFET高性能沟道技术 [N-Channel 30-V (D-S) MOSFET High performance trench technology]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 237 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

飞思卡尔

AO4 4月22日/ MC4 4月22日

典型电气特性（ N沟道）

100

正，反转漏电流（ A）

VGS = 0V

RDS （ ON ），导通电阻（ OHM ）

0.1

ID = 7的

0.08

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

室间隔缺损，体二极管正向电压（ V）

TA = 125℃

25 C

0.06

0.04

TA = 25℃

0.02

VGS ，门源电压（ V）

图7.传热特性

-Vth ，栅源THRESTHOLD

电压（V）的

2.2

1.8

1.6

1.4

1.2

-50

-25

100 125

150 175

VDS = VGS

ID = -250mA

图8.导通电阻与栅极至源极电压

P（ PK），峰值瞬态功率（ W）

单脉冲

RqJA = 125℃ / W

TA = 25℃

0.001

0.01

0.1

t1时，时间（秒）

100

TA ，环境温度（℃ ）

图9. Vth的栅极至源极电压与温度

图10.单脉冲最大功率耗散

归热瞬态结到环境

D = 0.5

0.2

0.1

0.0

0.02

0.01

S英格尔P ULS ê

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

T1 ， TIM E（发E C）

100

1000

P（ PK）

TJ - TA = P * R QJ A（ T）

值班Ç YC乐， D = T1 / T2

ř QJ A（ T） = R（T ） + R QJ一

ř QJ A = 125

癈

图11.瞬态热响应曲线

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