AO3435
20V P沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250µA
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3.5A
T
J
=125°
C
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-3.0A
V
GS
= -1.8V ，我
D
=-2.0A
V
GS
= -1.5V ，我
D
=-0.5A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ，我
D
=-3.5A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
-0.5
-25
56
80
70
85
100
15
-0.7
-1
-1.4
560
V
GS
=0V, V
DS
= -10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
80
70
15
8.5
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，我
D
=-3.5A
1.2
2.1
7.2
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，R
L
=3Ω,
R
根
=6Ω
I
F
= -3.5A ，的di / dt = 100A / μs的
2
民
-20
典型值
最大
单位
V
-1
-5
±100
-0.65
-1
70
100
90
110
130
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
745
23
11
Ω
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
切换参数
总栅极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -3.5A ，的di / dt = 100A / μs的
36
53
56
37
27
49
ns
nC
答： R的值
θJA
测量其上安装有1 FR-4板用2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤10s
热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
D.在附图中的静态特性1〜6使用300μS脉冲宽度，占空比0.5％以下，获得。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
曲线提供了单个脉冲的评价。
REV1 ： 2010年11月
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°上的SOA
C.
12
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生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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