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AO3407 参数 Datasheet PDF下载

AO3407图片预览
型号: AO3407
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 210 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AO3407A
典型的电气和热特性
10
V
DS
=-15V
I
D
=-4.3A
1200
1000
C
国际空间站
电容(pF)
800
600
400
C
OSS
200
C
RSS
0
0
3
6
9
12
15
0
6
12
18
24
30
-Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
-V
DS
(伏)
图8 :电容特性
8
-V
GS
(伏)
6
4
2
0
100
30
24
功率(W)的
18
12
6
0
0.001
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
-I
D
(安培)
10
R
DS ( ON)
有限
10µs
100µs
1
1ms
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
DC
1s
10ms
100ms
0.1
0.1
1
I
F
= -6.5A ,的di / dt = 100A / μs的
10
100
-V
DS
(伏)
0.01
0.1
1
10
100
1000
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=125°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
P
D
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
0.01
T
on
性能和可靠性,恕不另行通知。
T
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注五)
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