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IRFU540Z 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IRFU540Z
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内容描述: HEXFET®功率MOSFET [HEXFET® Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 9 页 / 678 K
品牌: FREESCALE [ Freescale ]
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IRFR/U540Z  
Driver Gate Drive  
P.W.  
Period  
D.U.T  
Period  
D =  
P.W.  
+
*
=10V  
V
GS  
ƒ
Circuit Layout Considerations  
Low Stray Inductance  
Ground Plane  
Low Leakage Inductance  
Current Transformer  
-
D.U.T. I Waveform  
SD  
+
‚
-
Reverse  
Recovery  
Current  
Body Diode Forward  
„
Current  
di/dt  
-
+
D.U.T. V Waveform  
DS  
Diode Recovery  
dv/dt  

V
DD  
VDD  
Re-Applied  
Voltage  
dv/dt controlled by RG  
RG  
+
-
Body Diode  
Forward Drop  
Driver same type as D.U.T.  
ISD controlled by Duty Factor "D"  
D.U.T. - Device Under Test  
Inductor Curent  
I
SD  
Ripple  
5%  
* VGS = 5V for Logic Level Devices  
Fig 17. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel  
HEXFET® Power MOSFETs  
RD  
VDS  
VGS  
D.U.T.  
RG  
+VDD  
-
10V  
Pulse Width ≤ 1 µs  
Duty Factor ≤ 0.1 %  
Fig 18a. Switching Time Test Circuit  
V
DS  
90%  
10%  
V
GS  
t
t
r
t
t
f
d(on)  
d(off)  
Fig 18b. Switching Time Waveforms  
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