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IRFR5410 参数 Datasheet PDF下载

IRFR5410图片预览
型号: IRFR5410
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内容描述: HEXFET®功率MOSFET [HEXFET® Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 410 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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IRFR/U5410
100
-I
D
, Drain-to-Source Current (A)
10
-I
D
, Drain-to-Source Current (A)
VGS
-15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
BOTTOM -4.5V
TOP
100
VGS
-15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
BOTTOM -4.5V
TOP
10
1
-4.5V
0.1
1
-4.5V
0.01
0.1
20µs PULSE WIDTH
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.1
0.1
20µs PULSE WIDTH
T
J
= 150
°
C
1
10
100
-V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
-V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 2.
Typical Output Characteristics
100
2.5
-I
D
, Drain-to-Source Current (A)
T
J
= 25
°
C
R
DS(on)
, Drain-to-Source On Resistance
(Normalized)
I
D
= -14A
2.0
10
T
J
= 150
°
C
1.5
1.0
1
0.5
0.1
4
5
6
7
V DS = 10V
20µs PULSE WIDTH
8
9
10
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= -10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
-V
GS
, Gate-to-Source Voltage (V)
T
J
, Junction Temperature (
°
C)
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3 / 10
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