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IRFR540Z 参数 Datasheet PDF下载

IRFR540Z图片预览
型号: IRFR540Z
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内容描述: HEXFET®功率MOSFET [HEXFET® Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 678 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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IRFR/U540Z
40
2.5
RDS(on) , Drain-to-Source On Resistance
ID = 21A
2.0
VGS = 10V
ID , Drain Current (A)
30
(Normalized)
20
1.5
10
1.0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
TC , CaseTemperature (°C)
TJ , Junction Temperature (°C)
Fig 9.
Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
Fig 10.
Normalized On-Resistance
vs. Temperature
10
Thermal Response ( Z thJC )
1
D = 0.50
0.20
0.10
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
τ
C
τ
τ
3
0.1
0.05
0.02
0.01
τ
J
Ri (°C/W)
τi
(sec)
2.626
0.000052
0.6611
0.7154
0.001297
0.01832
τ
1
τ
2
0.01
Ci=
τi/Ri
Ci
τi/Ri
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
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