欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

IRF9530NSL 参数 Datasheet PDF下载

IRF9530NSL图片预览
型号: IRF9530NSL
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: HEXFET®功率MOSFET [HEXFET® Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 330 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
 浏览型号IRF9530NSL的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF9530NSL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF9530NSL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF9530NSL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF9530NSL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF9530NSL的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF9530NSL的Datasheet PDF文件第8页  
IRF9530NS/L
14
V
DS
12
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
+
-I
D
, Drain Current (A)
8
-10V
Pulse Width
≤ 1
µs
Duty Factor
≤ 0.1 %
6
4
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
2
V
GS
10%
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
, Case Temperature ( ° C)
90%
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
V
DS
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
10
T herm al R es pons e (Z
th J C
)
1
D = 0 .5 0
0 .2 0
0 .1 0
0 .0 5
0.1
0 .0 2
0 .0 1
S IN G L E P U L S E
(T H E R M A L R E S P O N S E )
N o te s:
1 . D u ty fa c to r D = t
P
D M
t
1
t
2
1
/ t
2
0.01
0.00001
2. P e a k TJ = P D M x Z th JC + T C
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
, R e c ta n g ula r P u lse D u ratio n (s e c )
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
5 / 10
www.freescale.net.cn
-
10
V
DD
A
1