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    MMBT2222A 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT2222A图片预览
    型号： MMBT2222A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅外延平面中功率晶体管 [NPN Silicon Epitaxial Planar Medium Power Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管开关光电二极管IOT
    文件页数/大小： 4 页 / 262 K
    品牌： SEMTECH_ELEC [ SEMTECH ELECTRONICS LTD. ]
     浏览型号MMBT2222A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT2222A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MMBT2222A的Datasheet PDF文件第4页  
    MMBT2222 / MMBT2222A
    特点在T
    a
    = 25
    O
    C
    参数
    直流电流增益
    在V
    CE
    = 10 V，I
    C
    - 0.1毫安
    在V
    CE
    = 10 V，I
    C
    = 1毫安
    在V
    CE
    = 10 V，I
    C
    = 10毫安
    在V
    CE
    = 1 V，I
    C
    = 150毫安
    在V
    CE
    = 10 V，I
    C
    = 150毫安
    在V
    CE
    = 10 V，I
    C
    = 500毫安
    集电极 - 基极电压
    在我
    C
    = 10 µA
    集电极 - 发射极电压
    在我
    C
    = 10毫安
    发射极电压
    在我
    E
    = 10 µA
    集电极基截止电流
    在V
    CB
    = 50 V
    在V
    CB
    = 60 V
    发射基地截止电流
    在V
    EB
    = 3 V
    集电极 - 发射极饱和电压
    在我
    C
    = 150毫安，我
    B
    = 15毫安
    在我
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    基极发射极饱和电压
    在我
    C
    = 150毫安，我
    B
    = 15毫安
    在我
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    MMBT2222
    MMBT2222A
    MMBT2222
    MMBT2222A
    MMBT2222
    MMBT2222A
    MMBT2222
    MMBT2222A
    MMBT2222
    MMBT2222A
    h
    FE
    h
    FE
    h
    FE
    h
    FE
    h
    FE
    h
    FE
    h
    FE
    V
    CBO
    35
    50
    75
    50
    100
    30
    40
    60
    75
    30
    40
    5
    6
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    0.6
    -
    -
    300
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    300
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    100
    100
    100
    0.4
    0.3
    1.6
    1
    1.3
    1.2
    2.6
    2
    -
    8
    25
    10
    25
    225
    60
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    V
    符号
    分钟。
    马克斯。
    单位
    V
    首席执行官
    V
    V
    EBO
    V
    I
    CBO
    I
    EBO
    nA
    nA
    MMBT2222
    MMBT2222A
    MMBT2222
    MMBT2222A
    MMBT2222
    MMBT2222A
    MMBT2222
    MMBT2222A
    V
    CE （ SAT ）
    V
    V
    BE （ SAT ）
    V
    跃迁频率
    在V
    CE
    = 20 V ， -I
    E
    = 20 mA时， F = 100 MHz的
    集电极输出电容
    在V
    CB
    = 10 V ， F = 100千赫
    发射极输入电容
    在V
    EB
    = 0.5 V ， F = 100千赫
    延迟时间
    在V
    CC
    = 30 V, V
    BE （OFF）的
    = 0.5 V，I
    C
    = 150毫安，我
    B1
    = 15毫安
    上升时间
    在V
    CC
    = 30 V, V
    BE （OFF）的
    = 0.5 V，I
    C
    = 150毫安，我
    B1
    = 15毫安
    贮存时间
    在V
    CC
    = 30 V，I
    C
    = 150毫安，我
    B1
    = -I
    B2
    = 15毫安
    下降时间
    在V
    CC
    = 30 V，I
    C
    = 150毫安，我
    B1
    = -I
    B2
    = 15毫安
    f
    T
    C
    ob
    C
    ib
    td
    tr
    TSTG
    tf
    兆赫
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
    （子公司
    泰丰国际集团有限公司，公司
    在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
    ®
    日期： 15/03/2006

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