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1N6263WT 参数 Datasheet PDF下载

1N6263WT图片预览
型号: 1N6263WT
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内容描述: 硅肖特基二极管 [SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE]
分类和应用: 肖特基二极管
文件页数/大小: 2 页 / 135 K
品牌: SEMTECH_ELEC [ SEMTECH ELECTRONICS LTD. ]
 浏览型号1N6263WT的Datasheet PDF文件第2页  
1N6263WT
硅肖特基二极管
对于一般用途的应用
钉扎
1
2
描述
阴极
阳极
2
1
I
顶视图
标识代码: "I"
简体外形SOD- 523和符号
绝对最大额定值(T
a
= 25
O
C)
参数
峰值反向电压
功耗
马克斯。单周期浪涌正向电流( 10广场
波)
结温
存储温度范围
符号
V
RRM
P
合计
I
FSM
T
j
T
S
价值
40
400
2
150
- 55至+ 150
单位
V
mW
A
O
C
C
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
反向击穿电压
在我
R
= 10 µA
正向电压
在我
F
= 1毫安
在我
F
= 15毫安
反向漏电流
在V
R
= 30 V
结电容
在V
R
= 0 V , F = 1兆赫
反向恢复时间
在我
F
= I
R
= 5毫安,恢复到0.1 I
R
符号
V
( BR )R
分钟。
40
-
-
-
-
-
马克斯。
-
0.39
0.9
200
2.2
1
单位
V
V
F
V
I
R
C
合计
t
rr
nA
pF
ns
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
®
日期: 23/11/2006