1N6008B 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1N6008B
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内容描述：	硅平面齐纳二极管 [SILICON PLANAR ZENER DIODES]
分类和应用：	二极管齐纳二极管测试局域网
文件页数/大小：	1 页 / 178 K
品牌：	SEMTECH_ELEC [ SEMTECH ELECTRONICS LTD. ]

1N6008B

硅平面齐纳二极管

绝对最大额定值（T

= 25

符号

功耗

结温

存储温度范围

价值

500

单位

合计

175

-55到+175

在从情况下的距离为8毫米的有效条件是引线保持在环境温度

特点在T

AMB

= 25

符号

热阻结到环境空气

正向电压

在我

= 200毫安

分钟。

马克斯。

0.3

1.2

单位

K /毫瓦

THA

在从情况下的距离为8毫米的有效条件是引线保持在环境温度

特点在T

AMB

= 25

齐纳电压范围

TYPE

1N6008B

动态电阻

ZJT

Ω

<55

张家口

在我

Ω

<600

0.25

漏电流

在V

µA

<100

ZNOM

对于V

ZT2)

20.9...23.1

最大直流

齐纳电流

测试了脉冲吨

= 20毫秒。

有效的条件是引线保持在环境温度在8毫米的情况下的距离。

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

升特国际控股有限公司，该公司的

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 04/11/2005

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