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1N5819WB 参数 Datasheet PDF下载

1N5819WB图片预览
型号: 1N5819WB
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内容描述: 1表面贴装肖特基二极管 [1 A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE]
分类和应用: 肖特基二极管
文件页数/大小: 2 页 / 136 K
品牌: SEMTECH_ELEC [ SEMTECH ELECTRONICS LTD. ]
 浏览型号1N5819WB的Datasheet PDF文件第2页  
1N5817WB-1N5819WB
1表面贴装肖特基二极管
钉扎
1
2
描述
阴极
阳极
2
1
顶视图
标识代码: 1N5817WB :
A0
1N5818WB :
ME
1N5819WB :
SR
简体外形SOD- 123和符号
绝对最大额定值(T
a
= 25
O
C)
参数
反向电压
正向平均整流电流
非重复峰值正向浪涌电流
( 8.3ms单一正弦半波)
功耗
工作温度范围
存储温度范围
1N5817WB
1N5818WB
1N5819WB
符号
V
R
I
O
I
FSM
P
合计
T
j
T
S
价值
20
30
40
1
25
450
- 55至+ 150
- 55至+ 150
单位
V
A
A
mW
O
C
C
O
特点在T
a
= 25
O
C
参数
反向击穿电压
在我
R
= 1毫安
1N5817WB
1N5818WB
1N5819WB
1N5817WB
1N5818WB
1N5819WB
1N5819WB
1N5819WB
1N5819WB
1N5817WB
1N5818WB
1N5819WB
1N5817WB
1N5818WB
1N5819WB
C
D
符号
V
BR
分钟。
20
30
40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
1
1
1
0.05
0.075
0.45
0.45
0.55
0.6
0.75
0.875
0.9
120
pF
单位
V
反向电压漏电流
在V
R
= 20 V
在V
R
= 30 V
在V
R
= 40 V
在V
R
= 4 V
在V
R
= 6 V
正向电压
在我
F
= 0.1 A
在我
F
= 1 A
I
R
mA
V
F
V
在我
F
= 3 A
二极管电容
在V
R
= 4 V,F = 1兆赫
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
®
日期: 20/12/2006