1N4151W 参数 Datasheet PDF下载

型号：	1N4151W
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内容描述：	硅外延平面小信号二极管 [Silicon Epitaxial Planar Small Signal Diode]
分类和应用：	信号二极管光电二极管
文件页数/大小：	4 页 / 295 K
品牌：	SEMTECH_ELEC [ SEMTECH ELECTRONICS LTD. ]

1N4151W

硅外延平面小信号二极管

特点

•

SOD 123封装

快速开关

绝对最大额定值（ TA = 25 ℃ ）

参数

峰值反向电压

反向电压

平均整流电流半波

整流带电阻负荷F ≧ 50赫兹

正向浪涌电流t<1s TJ = 25 ℃

功耗

热阻结到环境空气

结温

储存温度

符号

FSM

合计

thJA

英镑

范围

150*

500

410*

450*

150

-65到+150

单位

℃/W

℃

有效的条件是电极被保持在环境温度下进行。

电气特性（Ta = 25℃）

参数

正向电压

漏电流

反向击穿电压

电容

反向恢复时间

整流效率

符号最小典型最大

1.0

（ BR ）R

合计

4.0

2.0

0.45 -

单位

CONDITONS

V I

=50mA

nA的V

=50V

μA V

= 20V ，T

=150℃

与5μA脉冲测试

=0V

从我

=通过我10毫安

= 10mA至我

=1mA

从我

= 10mA至我

= 1mA时， V

= 6V ，R

=100Ω

F = 100MHz时，V

=2V

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

升特国际控股有限公司，该公司的

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 2005年12月5日

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